SiC-Dioden im TO-Gehäuse

Unsere SiC-Dioden werden in gängigen TO-(Transistor Outline)-Packages von TO18/TO46 über TO5/TO39 und TO8 bis hin zur Größe TO3 aufgebaut. Diese bieten hermetische Dichtheit und Beständigkeit gegen Lösemittel und Strahlung.

Im Vergleich zu anderen Bauelementen weisen SiC-Photodioden vielfältige Vorteile auf:

• Sehr geringer Dunkelstrom (fA-Bereich)
• Hohe UV-Empfindlichkeit von 200 bis 400 nm (tageslichtunempfindlich)
• Voll hermetisches TO-Gehäuse
• Hervorragende Langzeitstabilität auch unter hohen UV-C-Strahlungsdosen (bis zu 1.000 Wm^-2)
• Extrem temperaturstabil (Temperaturkoeffizient Tk < 0,06 %/K), Dauereinsatztemperaturen bis +150 °C
• Spezielle Hoch- und Tieftemperaturversionen optional erhältlich

In unserem Produktkatalog finden Sie passende Photodioden für Ihre speziellen Anforderungen.

Andere Gehäusevarianten, Einsatztemperaturen oder kundenspezifische Modifikationen bieten wir auf Anfrage.