SiC-Photodioden für den UV-Bereich

Individuelle SiC-Bauteile für maximale Effizienz

Die zuverlässigen Eigenschaften unserer Photodioden und Bauelemente werden durch langjähriges Know-How immer weiter verbessert. Angefangen bei der eigenen Entwicklung der Halbleiterchips, über präzise Sensorelektronik bis zu UV-erprobten Aufbau- und Verbindungstechnologien: Wir bieten Ihnen kompetente Beratung für Ihr Projekt.

Sie finden bei uns die größte Auswahl von optoelektronischen Komponenten auf SiC-Basis und können aus über 100 verschiedenen SiC-Komponenten die beste Lösung für Ihren Einsatzzweck auswählen. Für kundenspezifische Anpassungen können Sie uns jederzeit gern kontaktieren.

Siliziumcarbid (SiC) UV-Photodioden

weisen im Vergleich zu Bauelementen auf Basis Si, TiO₂ GaN oder Diamant unschlagbare Vorteile auf:

• Tageslichtunempfindlich: Spektrale Empfindlichkeit nur im Bereich von 200 bis 400 nm
• Hervorragende Langzeitstabilität auch unter hohen UV-C-Strahlungsdichten (bis zu 1000 Wm^-2)
• Extrem temperaturstabil (Temperaturkoeffizient Tk < 0,06 %/K), Dauereinsatztemperaturen bis +150 °C
• Anpassung der spektralen Empfindlichkeit durch weltraumerprobte Filtertechnologien für UV-A, UV-B, und UV-C
• Verschiedene spezifische Filterbereiche und Filtercharakteristiken auf Anfrage
• Bei Bedarf mit integrierter Signalaufbereitung und Auswerteelektronik
• Eigene SiC-Chipentwicklung seit 2008

Typische Anwendungsfälle von SiC-Photodioden sind:

• Flammüberwachung
• Wasserentkeimungs- und Lasermonitoring
• Erythem-Sensoren
• Allgemeine UV-Sensorik